专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]距离传感-CN201680025825.6有效
  • 北村达矢;山本浩诚 - 株式会社村田制作所
  • 2016-02-18 - 2020-08-25 - G01S17/10
  • 距离传感具备光源部、受光部、控制部和距离信息生成部。光源部对对象物重复照射照射光。受光部从照射光的照射期间的开始起在给定时间之间接受光。距离信息生成部基于累计的受光量来生成表示到对象物的距离距离信息。控制部对应于累计的受光量的大小来使受光部累计受光量的次数即累计次数变化。
  • 距离传感器
  • [发明专利]距离传感-CN201680026983.3有效
  • 木村昭辉 - 魔眼公司
  • 2016-05-09 - 2021-01-12 - G01B11/02
  • 在一个实施例中,一种用于计算到对象的距离的方法包括:从多个投影点中的每一个投射多个投影射束,其中该多个投影点被布置在图像捕获装置的透镜周围,并且其中该多个投影射束中的至少两个射束彼此平行;捕获视场的图像,其中该对象在该图像中可见并且由该多个投影射束中的至少两个射束生成的投影图样也在该图像中可见;以及使用该图像中的信息来计算到对象的距离
  • 距离传感器
  • [实用新型]距离传感-CN202120720786.X有效
  • 马志鹏;何俊杰;廖本瑜;黄建中 - 弘凯光电(江苏)有限公司
  • 2021-04-08 - 2021-12-14 - G01S17/08
  • 本实用新型涉及传感技术领域,提供了一种距离传感,包括基板、发光晶片、感测晶片、分隔胶墙和挡光胶壳,发光晶片和感测晶片安装于基板,分隔胶墙凸设于感测晶片,挡光胶壳安装于基板,分隔胶墙的顶部与挡光胶壳连接本实用新型提供的距离传感,在挡光胶壳安装于基板时,分隔胶墙能够完全隔开第一腔室和第二腔室之间的光线干扰,解决了现有的距离传感的检测精准度低的技术问题,从而提高了距离传感的检测精准度,且挡光胶壳安装时不会压伤发光晶片和感测晶片
  • 距离传感器
  • [实用新型]距离传感-CN202222518237.1有效
  • 陈飞龙;罗锦长 - 深圳市瑞丰光电子股份有限公司
  • 2022-09-22 - 2023-03-14 - G01S17/08
  • 本实用新型公开了一种距离传感距离传感包括主体、第一接收芯片、发射芯片和第二接收芯片,主体包括基部和透光部,基部与透光部共同限定出容置腔,透光部设置有连通容置腔的第一通孔和第二通孔,第一接收芯片、发射芯片和第二接收芯片均固定于基部且位于容置腔内当目标物体与距离传感之间的距离为零时,目标物体与距离传感贴合,且第二通孔被目标物体遮挡,发射芯片发射的光线被目标物体反射回容置腔内,第二接收芯片接收到被反射回容置腔内的光线,从而识别出此时为零距离的情况
  • 距离传感器
  • [发明专利]距离传感-CN201680027011.6在审
  • 木村昭辉 - 魔眼公司
  • 2016-05-09 - 2018-04-10 - G01C3/08
  • 在一个实施例中,一种距离传感包括投影光源;第一光引导装置,其被定位成引导由该投影光源发射的光;衍射光学元件,其被定位成将由该第一光引导装置引导的光分离成在不同方向上行进的多个投影射束;以及图像捕获装置
  • 距离传感器
  • [发明专利]距离传感以及距离图像传感-CN201180049537.1有效
  • 间瀬光人;铃木高志 - 浜松光子学株式会社
  • 2011-06-16 - 2013-06-12 - H01L27/146
  • 光栅极(PG),平面形状为具有彼此相对的第1和第2长边(LS1,LS2)、以及彼此相对的第1和第2短边(SS1,SS2)的长方形形状。第1以及第2半导体区域(FD1,FD2)在第1和第2长边(LS1,LS2)的相对方向上夹持光栅极(PG)而相对地配置。第3半导体区域(SR1)在第1和第2短边(SS1,SS2)的相对方向上夹持光栅极(PG)而相对地配置。第3半导体区域(SR1)使在第1和第2短边(SS1,SS2)侧的电势高于光栅极(PG)的正下方的区域中的位于第1以及第2半导体区域(FD1,FD2)之间的区域中的电势。
  • 距离传感器以及图像传感器

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